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汽車電子MCU設(shè)計(jì)方法
針對(duì)汽車電子領(lǐng)域來講，將對(duì)整車級(jí)、零部件級(jí)的電磁兼容要求強(qiáng)制性標(biāo)準(zhǔn)，結(jié)合到集成電路中的設(shè)計(jì)，才能使電路更易于設(shè)計(jì)出符合標(biāo)準(zhǔn)的最終產(chǎn)
2020-02-19
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ISSI 4Mbit鎖存式SRAM
ISSIIS61 64WV25616LEBLL是高速，低功耗4M位鎖存的靜態(tài)RAM，組織為256K字乘以16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造的，并實(shí)現(xiàn)了ECC功能
2020-02-18
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外部SRAM應(yīng)用場(chǎng)合
SRAM也是隨機(jī)尋址數(shù)據(jù)的最佳選擇。很多SRAM器件都可以存取無(wú)序地址的數(shù)據(jù)，反應(yīng)時(shí)間與存取有序地址的數(shù)據(jù)一樣短，而SDRAM在這一點(diǎn)上做得并不好。
2020-01-21
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外部SRAM的優(yōu)缺點(diǎn)
部SRAM存儲(chǔ)器所提供比片內(nèi)存儲(chǔ)器更大的存儲(chǔ)容量，速度則是相當(dāng)快，但是稍略遜于片內(nèi)存儲(chǔ)器。常用的外部SRAM的容量可達(dá)128KB至10MB。
2020-01-20
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可穿戴電子設(shè)備中的SRAM
在所有可用的存儲(chǔ)器中，SRAM是用作外部高速緩存的最佳選擇。因?yàn)樗cDRAM相比待機(jī)電流消耗較低，而且其存取時(shí)間也比DRAM和閃存更短。
2020-01-17
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存儲(chǔ)器SRAM仍是主流市場(chǎng)
低功耗SRAM存儲(chǔ)芯片，屬于靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器芯片，產(chǎn)品的容量范圍為1 4 8 16Mb，常用容量為8Mb，電壓范圍在1 8V 3 3V 5V ，部分器件有寬電壓的電壓范圍，速度在44 55 75ns
2020-01-16
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