可穿戴電子設(shè)備中的SRAM
來源： 日期：2020-01-17 13:40:50
自可穿戴電子產(chǎn)品出世以來，受到市場上的熱烈追捧，當(dāng)今的MCU已經(jīng)廣泛應(yīng)用于各種設(shè)備中。我們現(xiàn)今正在經(jīng)歷一個重大電子產(chǎn)品發(fā)展趨勢，便是可穿戴電子產(chǎn)品。對于智能手表,智能手環(huán)和健康腕帶這樣的可穿戴產(chǎn)品來說，尺寸和功耗是關(guān)鍵因素。由于電路板尺寸受限，MCU必須精簡小巧，并且能夠借助便攜式電池提供的微弱電力運(yùn)行。
在上述要求下，片上高速緩存的容量相當(dāng)有限。在將來的幾代產(chǎn)品中，我們預(yù)計會看到可穿戴產(chǎn)品的功能將得到進(jìn)一步豐富。這樣一來片上高速緩存的容量將不敷使用，從而帶來對外部高速緩存的需求。在所有可用的存儲器中，SRAM是用作外部高速緩存的最佳選擇。因為它與DRAM相比待機(jī)電流消耗較低，而且其存取時間也比DRAM和閃存更短。
但是要裝配到微小的可穿戴產(chǎn)品電路板上，
SRAM將需要進(jìn)一步發(fā)展。對現(xiàn)有的并行SRAM而言，存在與MCU通信所需的引腳數(shù)過多,尺寸過大，不適合PCB的問題。
SRAM的發(fā)展如此之快，很明顯只要獨(dú)立式SRAM制造商能夠通過創(chuàng)新讓自己的產(chǎn)品滿足新一代應(yīng)用需求，激動人心的時刻就在未來等待著他們。SRAM的主要創(chuàng)新領(lǐng)域包括：
縮小芯片尺寸：這要求工藝技術(shù)的進(jìn)步和封裝技術(shù)的創(chuàng)新。
減少引腳數(shù)量：目前大多數(shù)SRAM使用并行接口。市場上的串行SRAM只有低容量產(chǎn)品。需要生產(chǎn)容量更高的串行SRAM。
功耗更低的高性能芯片。
片上軟錯誤校正。
我司代理提供不同容量的
VTI SRAM產(chǎn)品型號,以下型號參考鏈接：
http://www.fyz168.com/list-14-1.html
關(guān)鍵詞：SRAM
