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低功耗靜態(tài)存儲(chǔ)器（LOW POWER SRAM） 低功耗SRAM芯片作為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的一種類別； 特征為功耗低，速度快，一般容量在1/4/8/1616Mbit： 屬于易失性存儲(chǔ)芯片，掉電后數(shù)據(jù)會(huì)產(chǎn)生丟失： 主要應(yīng)用于內(nèi)置電池，并對(duì)功耗非常敏感的產(chǎn)品，如POS機(jī)，手持設(shè)備等：

串行存儲(chǔ)器芯片（Serial SRAM） 串行Serial SRAM為了滿足更小管腳的設(shè)計(jì)跟更小PCB板尺寸而衍生出來(lái)的一款存儲(chǔ)器; 存儲(chǔ)器在高速性能并非最重要因素的其它存儲(chǔ)器（DRAM、閃存等）中，串行接口已經(jīng)取代了并行接口; 在SRAM市場(chǎng)中一直處于小眾地位，在空間非常有限的特定應(yīng)用中，它們一直是低功耗、小尺寸替代方案;

異步快速存儲(chǔ)器芯片（Async Fast SRAM） 一般來(lái)說(shuō)單片機(jī)MCU會(huì)采用異步靜態(tài)歲級(jí)存儲(chǔ)器， 另外有些以并行方式接口的模擬/數(shù)字I/O器件，如A/D、D/A、開入/開出等，也會(huì)采用異步靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器， 靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器比DRAM快些，并依賴于CPU的時(shí)鐘， 存取速度有12ns、15ns和18ns三種，值越小，表示存取數(shù)據(jù)的速度越快。

同步高速存儲(chǔ)器芯片（Sync High Speed SRAM） 同步高速靜態(tài)存儲(chǔ)器是指Memory工作需要步時(shí)鐘， 內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準(zhǔn)；隨機(jī)是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲(chǔ)， 而是由指定地址進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫。 對(duì)于SSRAM的所有訪問(wèn)都在時(shí)鐘的上升/下降沿啟動(dòng)。地址、數(shù)據(jù)輸入和其它控制信號(hào)均于時(shí)鐘信號(hào)相關(guān)。 這一點(diǎn)與異步SRAM不同，異步SRAM的訪問(wèn)獨(dú)立于時(shí)鐘，數(shù)　據(jù)輸入和輸出都由地址的變化控制。

國(guó)產(chǎn)SRAM芯片 XRAM是一款基于TLC DRAM（三態(tài) DRAM）和RFDRAM（免刷新DRAM） 專利技術(shù)而成的新型X型隨機(jī)存儲(chǔ)器，可用于替換傳統(tǒng)DRAM和SRAM， 相對(duì)比DRAM產(chǎn)品在數(shù)據(jù)讀取速率約快10倍以上， 延時(shí)速度10ns,可提供千兆級(jí)容量存儲(chǔ)， 可隨時(shí)訪問(wèn)速度不需要刷新機(jī)制，在性能上接近于SRAM產(chǎn)品， 并提供SRAM接口便于應(yīng)用設(shè)計(jì)。