ISSI基于糾錯的8Mb高速低功耗異步SRAM這種創(chuàng)新設計加強了ISSI對具有最高質(zhì)量和性能的SRAM的長期承諾。該行業(yè)首款基于糾錯碼(ECC)的異步SRAM滿足汽車、工業(yè)、軍事航空航天和其他應用的高質(zhì)量要求。
 
錯誤檢測和錯誤糾正
•每個字節(jié)具有漢明碼的獨立ECC
•檢測并糾正每個字節(jié)的一位錯誤
•比只能檢測錯誤但不能糾正錯誤的奇偶校驗碼方案具有更好的可靠性
•向后兼容：替代當前行業(yè)標準設備（無ECC）

 
應用
•汽車
•軍用航天/醫(yī)療
•工業(yè)的
•電信/網(wǎng)絡
額外的ECC異步SRAM
•2Mb、4Mb、1Mb
 
主要特征

	IS64WV51216EDBLL (A1)	IS64WV51216EDBLL (A3)	注釋
溫度支持	工業(yè)（-40°C 至 +85°C）	汽車（-40°C 至 +125°C）	聯(lián)系ISSI代理商了解軍用溫度
技術	65nm	65nm
待機電流	15mA	35mA	典型值 2mA
工作電流	50mA	65mA	典型值 15 mA
數(shù)據(jù)保留電流	15mA	35mA	典型值 2mA
包裝	TSOP-II（44 針） BGA（48 針）	TSOP-II（44 針） BGA（48 針）	引腳與行業(yè)標準 8Mb 異步兼容。

關鍵詞：串行FRAM