QLC快閃存儲器未來將是主流
來源： 日期：2018-06-07 16:34:15
根據(jù)數(shù)據(jù)顯示NAND快閃存儲器Q1的價格與前期相比下降了，推動了大型存放區(qū)的智能手機(jī)、SSD硬盤普及，這主要多虧了NAND廠商大規(guī)模量產(chǎn)64層3D快閃存儲器。
將來如果想進(jìn)一步提升NAND容量，堆疊層數(shù)還會進(jìn)一步提升，東芝、西數(shù)去年發(fā)布了96層堆疊的3D快閃存儲器，西數(shù)宣布BiCS4技術(shù)的96層3D快閃存儲器已經(jīng)開始供貨給客戶，X4技術(shù)的QLC快閃存儲器未來也將是重點。
西數(shù)收購閃迪之后已經(jīng)變成全球領(lǐng)先的NAND供應(yīng)商，技術(shù)上他們跟東芝是一派的，主要使用BiCS技術(shù)，已經(jīng)推出了四代BiCS技術(shù)，目前的主力是BiCS3，量產(chǎn)的NAND快閃存儲器堆疊層數(shù)是64層，去年展示過96層堆疊的BiCS4快閃存儲器，這將是西數(shù)、東芝下一代主力。
西數(shù)近日宣布正在出貨BiCS4技術(shù)的96層3D快閃存儲器給客戶，不過耐人尋味的是這些客戶主要是USB、記憶卡等，沒提到桌面或者企業(yè)級市場。從西數(shù) CEO的表態(tài)來看，BiCS4技術(shù)目前還不夠成熟，所以說現(xiàn)在用于SSD等市場還有點早，這是先拿USB等市場試試水溫。
根據(jù)西數(shù)的表態(tài)，96層堆疊的3D快閃存儲器核心容量最初是256Gb，相比目前沒多少優(yōu)勢，不過最終可能會達(dá)到1Tb核心容量，也就是128GB，封裝幾顆NAND核心的話就可以簡單制造出TB級硬盤。
但是到時候的主力就是X4技術(shù)的QLC快閃存儲器了，目前MLC、TLC快閃存儲器還是主流，但是從美光、Intel開始出貨QLC快閃存儲器硬盤開始，QLC在2018年將會越來越多，大容量這個優(yōu)點非常吸引廠商，消費者要想購買到便宜的TB級硬盤，QLC快閃存儲器也不可避免。
