人們一直承諾會(huì)有改進(jìn)，但趨勢(shì)是SRAM的擴(kuò)展速度比邏輯慢。這意味著要么架構(gòu)發(fā)生變化，要么SRAM消耗給定芯片的比例越來越大。我們可能會(huì)看到兩者。可以更改層次結(jié)構(gòu)、更改位置、更改用于防止瓶頸的內(nèi)存類型。這是一種解決方案。但將會(huì)有大量的技術(shù)研發(fā)，比如自下而上的壓縮SRAM的解決方案。
 
    通過改變核心技術(shù)你能做的只有這么多。在標(biāo)準(zhǔn)SoC中，它是經(jīng)典的6T SRAM，這種情況已經(jīng)存在30到40年了。人們已經(jīng)嘗試過各種類似3Tcell的東西，但存在可靠性、可制造性和可設(shè)計(jì)性問題，例如如何使用它進(jìn)行測(cè)試。某些市場(chǎng)，例如汽車市場(chǎng)，當(dāng)獲得更容易出錯(cuò)或?qū)Π柗Ｗ用舾械腸ell時(shí)，就會(huì)感到恐慌。也許你無法在汽車中安裝巨型推理機(jī)，因?yàn)槠嚧嬖诳煽啃院凸δ馨踩珕栴}。所有這些事情都必須考慮在內(nèi)。各種內(nèi)存層成為架構(gòu)師需要使用的工具包。


本文關(guān)鍵詞：SRAM

相關(guān)文章：PSRAM概述