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SRAM技術(shù)遇到瓶頸
SRAM要求速度更快而功耗更低，但目前行業(yè)對(duì)于SRAM的研究似乎已經(jīng)進(jìn)入瓶頸期，可能會(huì)影響未來(lái)芯片的性能。當(dāng)SRAM晶體管密度沒(méi)法繼續(xù)縮小時(shí)，
2023-01-10
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智能工業(yè)水泵專(zhuān)用靈動(dòng)微電子單片機(jī)MM32SPIN560C
水泵是輸送液體或使液體增壓的機(jī)械。它將原動(dòng)機(jī)的機(jī)械能或其他外部能量傳送給液體，使液體能量增加，主要用來(lái)輸送液體包括水、油、酸堿液、
2022-12-14
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三星DRAM市占創(chuàng)8年新低
南韓三星電子持續(xù)稱(chēng)霸DRAM市場(chǎng)，4~6月期間橫掃逾四成市占，市占率連三季擴(kuò)大，美國(guó)美光市占則陷入萎縮。0月16日資料顯示，4~6月期間三星電
2022-12-08
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SRAM和DRAM主要差異
SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）由CMOS技術(shù)組成，使用六個(gè)晶體管。它的結(jié)構(gòu)由兩個(gè)交叉耦合的反相器組成，用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)（二進(jìn)制），類(lèi)似于觸發(fā)器
2022-11-25
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靈動(dòng)微電子MM32F5270系列MCU優(yōu)勢(shì)
靈動(dòng)微電子MM32F5270系列是靈動(dòng)最新推出的性能型32位MCU產(chǎn)品系列，該系列采用了安謀科技出品的STAR-MC1內(nèi)核，該內(nèi)核基于Armv8-M架構(gòu)實(shí)現(xiàn)，C
2022-11-14
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三星236層3D NAND量產(chǎn)
三星已經(jīng)開(kāi)始批量生產(chǎn)其大概為236層的3DNAND存儲(chǔ)器，命名為第8代V-NAND。新IC具有2400MTps的傳輸速度，當(dāng)與高級(jí)控制器結(jié)合使用時(shí)，它們可以
2022-11-07
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