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選擇低功率MCU需考慮外設(shè)功耗與電源管理
MCU功耗在目前的電池供電應(yīng)用中正變得越來越舉足輕重。大多MCU微控制器芯片廠商都提供低功耗產(chǎn)品，但是選擇一款最適合自己應(yīng)用的產(chǎn)品并非易事，并不像查詢對(duì)比數(shù)據(jù)表的數(shù)據(jù)那么簡單。
2020-11-16
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Cypress存取時(shí)間為10納秒的異步SRAM
Cypress16兆字節(jié)快速異步SRAM﹐其存取時(shí)間小于10ns。異步SRAM內(nèi)含l億多個(gè)晶體管﹐采用6個(gè)晶體管存儲(chǔ)單元﹐是該公司4兆字節(jié)快速異步SRAM的后
2020-11-12
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NAND FLASH的接口控制設(shè)計(jì)
Nand flash是flash存儲(chǔ)器的其中一種，Nand flash其內(nèi)部采用非線性宏單元模式以及為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand
2020-11-02
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SDRAM內(nèi)存條時(shí)序特點(diǎn)
計(jì)算機(jī)上廣泛應(yīng)用的內(nèi)存條具有速度高、容量大、接口標(biāo)準(zhǔn)、擴(kuò)展方便等優(yōu)點(diǎn)。在大容量,高速數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的領(lǐng)域,應(yīng)用SDRAM內(nèi)存條代替一般的單片SDRAM存儲(chǔ)器，給實(shí)際電路的更改和存儲(chǔ)容量的擴(kuò)展帶
2020-10-29
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PSRAM是異步SRAM的理想替代品
PSRAM與傳統(tǒng)的六晶體管(6T)SRAM單元性能相當(dāng),但卻有著標(biāo)準(zhǔn)異步SRAM無法比擬的絕對(duì)成本優(yōu)勢(shì)。此外,PSRAM還可提供極高的存儲(chǔ)密度,如32Mbit和64Mbit，可滿足手機(jī)廠商手機(jī)擴(kuò)展功能的需要。
2020-10-20
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串行SRAM和FRAM之間的相似之處
盡管靜態(tài)RAM和鐵電RAM可以有完全不同的用途，但是隨著SPI等標(biāo)準(zhǔn)接口的出現(xiàn)，這些技術(shù)在功能上有很大的重疊。
2020-10-14
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